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삼성전자 D램 기술 경쟁에서 앞서가나

2010. 2. 24. 16:51 Posted by 비회원

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세계 최초 4기가 DDR3 D램 양산

삼성전자가 세계 최초로 4Gb(기가비트) DDR3(Double Date Rate 3) D램 양산에 들어가며 대용량 D램 시장 선점에 나선다.

삼성전자는 지난해 1 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 이 달부터 40나노급 최신 공정을 이용해 양산한다고 밝혔다
.

지난 2005 6월 세계 최초로 1Gb DDR2 D램 양산을 시작했고, 2007 9 2Gb DDR2 D램 양산에 이어, 이번에 4Gb DDR3 D램을 양산하며 대용량 D램의 세계 최초 양산 기록을 이어 가게 됐다
.

삼성전자는 이번에 양산에 들어가는 4Gb DDR3 D램으로 서버용 32GB(기가바이트), 16GB 모듈과 워크스테이션, 데스크 탑 PC 8GB 모듈, 노트북 PC 8GB 모듈 등 기존 대비 용량이 두 배인 대용량 메모리 모듈 제품을 공급한다
.

삼성전자는 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 모듈로 프리미엄 서버에서 고성능 노트북까지 프리미엄 D램 시장을 창출해 나갈 계획이다
.

이번에 업계 최초로 PC 및 노트북용 8GB 모듈 출시로 프리미엄급 노트북에도 최대 16GB 용량의 메모리 탑재가 가능해지는 등 그래픽, 멀티미디어 작업 등 많은 데이터를 처리하는 전문가들에게 큰 호응을 얻을 것으로 전망된다.


삼성전자가 내놓은 4Gb DDR3 D램 탑재 모듈은 기존 동일 용량의 모듈 제품에 비해 소비 전력이 35% 가량 절감되어, 초절전 ‘그린 메모리’ 전략을 더욱 강화하게 됐다.

서버에서 총 96GB 용량의 D램 메모리를 사용할 경우, 60나노급 1Gb DDR2 D램을 사용한 모듈은 210W(와트)의 전력을 소비하는데 비해 40나노급 2Gb DDR3 D램은 55W로 약 75%를 절감할 수 있고, 40나노급 4Gb DDR3 D램은 36W에 불과해 60나노급 제품 대비 약 83%, 40나노급 2Gb DDR3 D램 대비 추가로 35%나 절감할 수 있다
.

, 대규모로 전력을 소비하는 데이터 센터에서 공조시스템을 포함한 전체 소비전력을 추가로 10% 정도 더 절감할 수 있다
.

삼성전자 반도체사업부 메모리전략마케팅팀장 전동수 부사장은 “이번에 양산하는 4Gb DDR3 D램은 대용량이면서 최저 소비전력을 구현함으로써 많은 양의 메모리를 탑재하는 서버 업체 뿐 아니라, 이제 PC에서도 소비자들이 만족할 수 있는 고성능·저전력 메모리 솔루션을 제공하게 되어 그 의의가 매우 크다.”고 밝혔다
.

삼성전자는 이번 4Gb DDR3 D램 양산과 함께 40나노급 DDR D램 비중을 적극적으로 확대해, 서버 및 PC 용으로 공급하는 D램 중 40나노급 제품의 비중을 상반기에 90% 이상까지 끌어올려 고객들에게 안정적인 공급 능력을 확보할 계획이다.


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[Press Releases BlogTimes] 세계 최초로 40나노급 DDR2 D램 개발한 삼성전자

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삼성전자가 세계 최초로 40나노급 (1나노 : 10억분의 1미터) 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다. 세계 최초로 '05년 60나노급 D램 개발에 이어 '06년 50나노급 D램, 올해 40나노급 D램 제품 개발을 잇달아 성공했다.

특히 이번 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 작년 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한 데 이어 올해 1월 1기가바이트(GB) DDR2 SoDIMM 모듈까지 2종의 제품 채용 평가를 완료 했다.

삼성전자는 이번에 개발한 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해, 40나노급 2기가 DDR3 제품을 '09년에 개발 완료하고 양산도 개시할 예정이다.

이는 50나노급에서 '06년 제품 개발 후 '08년 양산까지 약 2년 정도 걸렸던 반면, 공정이 더 미세해지는 40나노급에서 신제품 양산 기간을 1년 이상 단축하는 것으로써, 현재 시장 상황을 적극적으로 타개해 나가고자 하는 삼성전자의 전략을 나타낸 것이다.

40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난 '08년 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트 DDR3 D램 대비 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있어, 현재 50~60 나노급 D램을 양산하고 있는 D램 업체 대비 제조 경쟁력의 격차를 1~2년 이상으로 확대시킬 것으로 전망된다.

또 40나노급 D램은 50나노급 D램 대비 칩 면적 축소로 생산성이 향상될 뿐만아니라, 低전력•低전압 특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2V 동작이 가능하다.

따라서 기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과까지 발휘할 수 있어, 40나노급 D램은 서버 등 高전력을 소비하는 응용처에서 더욱 유용한 친환경/고효율 에너지 솔루션을 제공할 수 있다.

삼성전자는 40나노급 D램 시장을 선점함으로써 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출하는 것은 물론, 향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량•고성능 제품을 선행 개발하여, 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다.

 

(Blog Journalist  : 오세경 기자 iblogtimes@naver.com)

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