삼성전자 D램 기술 경쟁에서 앞서가나

“세계 최초 4기가 DDR3 D램 양산”

삼성전자가 세계 최초로 4Gb(기가비트) DDR3(Double Date Rate 3) D램 양산에 들어가며 대용량 D램 시장 선점에 나선다.

삼성전자는 지난해 1월 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 이 달부터 40나노급 최신 공정을 이용해 양산한다고 밝혔다.

지난 2005년 6월 세계 최초로 1Gb DDR2 D램 양산을 시작했고, 2007년 9월 2Gb DDR2 D램 양산에 이어, 이번에 4Gb DDR3 D램을 양산하며 대용량 D램의 세계 최초 양산 기록을 이어 가게 됐다.

삼성전자는 이번에 양산에 들어가는 4Gb DDR3 D램으로 서버용 32GB(기가바이트), 16GB 모듈과 워크스테이션, 데스크 탑 PC용 8GB 모듈, 노트북 PC용 8GB 모듈 등 기존 대비 용량이 두 배인 대용량 메모리 모듈 제품을 공급한다.

삼성전자는 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 모듈로 프리미엄 서버에서 고성능 노트북까지 프리미엄 D램 시장을 창출해 나갈 계획이다.

이번에 업계 최초로 PC 및 노트북용 8GB 모듈 출시로 프리미엄급 노트북에도 최대 16GB 용량의 메모리 탑재가 가능해지는 등 그래픽, 멀티미디어 작업 등 많은 데이터를 처리하는 전문가들에게 큰 호응을 얻을 것으로 전망된다.

삼성전자가 내놓은 4Gb DDR3 D램 탑재 모듈은 기존 동일 용량의 모듈 제품에 비해 소비 전력이 35% 가량 절감되어, 초절전 ‘그린 메모리’ 전략을 더욱 강화하게 됐다.

서버에서 총 96GB 용량의 D램 메모리를 사용할 경우, 60나노급 1Gb DDR2 D램을 사용한 모듈은 210W(와트)의 전력을 소비하는데 비해 40나노급 2Gb DDR3 D램은 55W로 약 75%를 절감할 수 있고, 40나노급 4Gb DDR3 D램은 36W에 불과해 60나노급 제품 대비 약 83%, 40나노급 2Gb DDR3 D램 대비 추가로 35%나 절감할 수 있다.

또, 대규모로 전력을 소비하는 데이터 센터에서 공조시스템을 포함한 전체 소비전력을 추가로 10% 정도 더 절감할 수 있다.

삼성전자 반도체사업부 메모리전략마케팅팀장 전동수 부사장은 “이번에 양산하는 4Gb DDR3 D램은 대용량이면서 최저 소비전력을 구현함으로써 많은 양의 메모리를 탑재하는 서버 업체 뿐 아니라, 이제 PC에서도 소비자들이 만족할 수 있는 고성능·저전력 메모리 솔루션을 제공하게 되어 그 의의가 매우 크다.”고 밝혔다.

삼성전자는 이번 4Gb DDR3 D램 양산과 함께 40나노급 DDR D램 비중을 적극적으로 확대해, 서버 및 PC 용으로 공급하는 D램 중 40나노급 제품의 비중을 상반기에 90% 이상까지 끌어올려 고객들에게 안정적인 공급 능력을 확보할 계획이다.